Advantages
- 非線形スペクトル変化を用いて、シリコン導波路デバイスの構造モデリングができる。
- プローブ光パルスのスペクトルデータとシミュレーションとの一致度から構造推定を行う。
- 長尺方向の微小空間ごとに分割して解析することで、分割した区画ごとに推定が可能。
Background and Technology
シリコン導波路デバイスをはじめ様々な光デバイスの評価にはデバイスの内部構造のモデリングが重要であるが、伝搬軸に沿った構造検査の方法は少ない。
本技術は、あらかじめ精度高くプロファイリングした光パルスをプローブ光として、非線形定数が未知なシリコン導波路デバイス等に通し、分光器で取得したスペクトルを長尺方向の微小空間ごとに分割して解析することで、当該シリコン導波路デバイスの構造モデリングを行う技術である。
すでに原理確認シミュレーションと実験による検証を行い、テーパードした導波路の有効断面積の分布計測シミュレーションにより基礎的な構造の変化を推定できることを確認している。
Expectations
出願特許の実施許諾
Patents
特許第6095235号、米国特許9,778,138、欧州（フランス、デンマーク）特許2947446、
中国特許105308429
Researchers
小西 毅（大阪大学工学研究科 准教授）
英文概要はこちらよりご確認ください。
以下のフォームからお問い合わせください