半導体基板や超硬工具等の高精度研磨装置開発の協働に関するご提案

2021/10/08 14:25 By Tech Manage

化学反応等を利用し、原子レベル(サブナノメートルオーダー)の表面精度の研磨を実現

Advantages

  • 砥粒や研磨剤が不要
  • 超硬工具の刃先鋭利化、研削砥石のドレッシング/ツルーイング、電着砥石の切れ刃トランケーション、半導体基板(特にSiCやGaN)の表面平坦化、ガラス・セラミックスの超精密研磨、等に適用
  • 特に単結晶基板に対して、安定かつ精度の高い研磨を実現

Background and Technology

 現在、加工に求められる精度としては、nm(ナノメートル)オーダーに迫っており、従来の機械加工の延長ではこの要求精度に応えることが困難である。

この問題を解決するため、本発明者らは原子・分子レベルの表面精度を実現可能な新しい加工法の研究に取り組んでいる。

具体的には、これまで、SiCやGaN等の次世代パワー半導体デバイス用基板のウェット型研磨技術、や紫外光・オゾン照射等を援用したドライ研磨技術、さらに不活性ガスを用いた絶縁材料の研磨技術を開発している。

Expectations

  • 本格的な開発には本技術を実装した研磨装置の協働開発が必須であるため、協働パートナーとして研磨装置メーカーを募集中
  • 研磨装置のユーザー企業の探索・マッチングもサポート可能

Publications

  • JST新技術説明会 2014 くまもと発 (2014/8/1) 
  • JST新技術説明会 2015 くまもと発 (2015/7/30) 
  • nanotech 2018 (2018/2/14-15)

Patents

複数の国内特許を保有
例:日本国特許4873694号、4982742号、5343250号、6145761号、6928328号

Researchers

久保田 章亀 先生(熊本大学, 大学院先端科学研究部, 准教授|精密加工学研究室)

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