ゲルマニウム半導体のポテンシャルを引き出す新しい成膜プロセス

2021/01/12 00:30 By Tech Manage

Background and Technology

 筑波大学 数理物質科学研究科准教授の都甲先生は来るべき次世代半導体産業に向けた技術開発を行っています。
その中で、この度、ゲルマニウムGe半導体の薄膜をより簡便かつ低コストで製造する手法を開発しました。
Geは電子移動度・正孔移動度がともに高いため、現在主流のシリコン半導体に置き換わるものとして期待されています。
Geの成膜法はいくつか知られていますが、できる膜の結晶粒が非常に小さい、膜の質の制御が難しいなど多くの課題があります。

 都甲先生は、(1)基板(SiO2やガラス、そしてプラスチック)を低温加熱しながら非晶質Ge膜を作る、(2)さらに加熱処理し結晶Ge膜に成長、という2段階の手法により、380 cm2/Vsという高い正孔移動度をもつGe薄膜の製造を実現しました。
これにより、従来困難であった高品質なGe膜を容易に製造でき、LSIやCMOS、メモリなど多くの半導体素子のGe化を促進すると考えます。

 また、本プロセスは400℃程度までの低温であることから、ガラスや耐熱プラスチックなどのこれまで不可能だった素材を基板にすることができ、フレキシブルデバイスやディスプレイなどの実現に貢献します。

 より詳しい技術内容は、下記のプレスリリースをご覧ください。
https://www.tsukuba.ac.jp/wp-content/uploads/171205toko-1.pdf

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