腫瘍化を完全克服する革新技術による安全なヒト多能性幹細胞での再生医療

2021/02/02 19:16 By Tech Manage

ヒト多能性幹細胞の腫瘍化原因細胞を特異標的殺傷する遺伝子構築をハイスルー プット開発し、
安全なマスター細胞まで作製できるプラットフォーム技術

Advantages

  • 「最適プロモーター+マーカー遺伝子/自殺遺伝子」構築を、ハイスループット作製・解析できるレンチウイルスベクター(TC-LV)というプラットフォーム技術 
  • in vitro と in vivo での腫瘍化の完全阻止効果を実証し、さらに従来技術では不可能だった「移植後発症の腫瘍化細胞の殺傷」 も実現
  • ゲノム編集技術で安全なマスター細胞バンクまで作製可能な技術も開発



Background and Technology
ヒト多能性幹細胞(hPSC)の腫瘍化は再生医療の最重要課題であるが、従来技術では完全克服ならびに「移植後発症の腫瘍化細胞の殺傷」は不可能であった。
我々は、「hPSC腫瘍化原因細胞を特異標的殺傷する『最適プロモーター+マーカー遺伝子/自殺遺伝子』構築を、ハイスループット作製・解析できるレンチウイルスベクター(TC-LV)」という革新的プラットフォーム技術を独自開発した(Fig. 1)。*1

実例として、 “survivin promoter+Herpes simplex virus thymidine kinase (HSV-tk)+Venus” 遺伝子(Fig.2)を導入(TC-LV感染)、ソート、細胞増殖、分化誘導したhPSCは、プロドラッグのガンシクロビル(GCV)投与で、in vitro実験で未分化細胞を特異的・強力に殺傷しただけでなく(Fig. 3)、in vivo実験でのマウスへの未分化hPSCの移植「後」のGCV投与でも完全に腫瘍化を阻止した(Fig.4) 。

さらに、このTC-LVハイスループット解析で同定した最適の遺伝子構築は、ゲノム編集技術でゲノム安全領域に挿入して、安全なマスター細胞バンクを作製する技術も開発した(未発表、特許出願)ため、さらに安全な臨床応用・実用化可能な再生医療を提供できる。




Patent and Publication

*1. Ide et al., Stem Cells (2018) 36:230–239.
特許:US15/111,084(pending), EP15737214.5 (pending), JP6358713 (registered), and the others

Researcher

小戝健一郎Ken-ichiro Kosai, M. D., Ph. D. 

鹿児島大学 大学院医歯学総合研究科 遺伝子治療・再生医学分野 教授

Expectations

本技術ライセンス導入および本技術をベースとした再生医療製品の開発

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